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segunda-feira, 7 de maio de 2012

TRANSISTOR 2SC2166 NPN RF HF

O 2SC2166 é um transistor NPN de silício epitaxial tipo plaina projetado para amplificadores de potência de RF na faixa de HF aplicações de rádio móvel.

E UM TRANSISTOR MUITO USADO NOS RADIOS DE PX COMO O CBRA 148 GTL 
 características:

     Ganho de Alta Potência: Gpe> / = 13,8 dB (VCC = 12V, PO = 6W, f = 27MHz)

aplicação:

     3 a 4 Watts de potência de saída do amplificador Classe AB Aplicações em HF Banda

Pontuações máximo absoluto: (TC = +25 ° C a menos que especificado de outra forma)
Tensão coletor-emissor (RBE = Infinito), VCEO 75V
Coletor-Base de tensão, VCBO 75V
Base-Emissor de tensão, VEBO 5V
Collector atual, IC 4A
Dissipação de energia Collector (TA = 25 ° C), PD 1.5W
Dissipação de energia Collector (TC = +50 ° C), PD 12,5 W
Temperatura de junção operacional, TJ +150 ° C
Temperatura de armazenamento, Tstg -55 ° a 150 ° C
Resistência Térmica, Junção a caso, RthJC 10 ° C / W
Resistência Térmica, Junção para a Ambient, RthJA 83 ° C / W


 Características elétricas: (TC = +25 ° C a menos que especificado de outra forma)
Parâmetro Símbolo Teste Condições Min Typ Unidade de Max
Coletor-Base Breakdown Voltage V (BR) CBO IC = 1mA, IE = 0 75 - V
Coletor-emissor Breakdown Voltage V (BR) CEO IC = 10mA, RBE = Infinito 75 - V
Emissor-base Breakdown Voltage V (BR) EBO IE = 1mA, IC = 0 5 - V
Cutoff Collector atual ICBO VCB = 30V IE = 0-100 mA
Emissor de corte atual IEBO VEB = 4V, IC = 0-100 mA
Ganho DC Encaminhar atual hFE VCE = Nota 12V, IC = 100mA, 1 35 70 180
Potência de saída PO VCC = 12V, Pin = 0,25 W, f = 27MHz 6 7,5 - W
Eficiência Collector 55 60 -%
Nota 1. Teste de pulso: largura de pulso = 150μs, Ciclo de trabalho = 5%.





 
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